射频器件封装技术发展自2015年，台积电在A10芯片中采用InFO FOWLP封装技术、在逻辑工艺保持16nm但仍实现40%的性能提升起始，基于硅中介层的三维先进封装技术逐渐走向半导体制造的前沿，此后Foundry、ODM、OSAT甚至是基板厂商等产业链上的玩家纷纷加入这条延续摩尔定律的赛道，无论是3D结构设计、新材料、制造工艺还是高带宽海量数据应用，先进封装为半导体研究与发展打开了一扇大门！
如何平衡芯片与封装制造环节使之产品良率达到统一？基于2.5D/3D堆叠互连技术，
如何提高工艺稳定性以达到最佳芯片性能；以FC、CSP、SiP及WLP为代表的先进封装，如何提高基于硅中介层的RDL层单位面积内的die数量，如何使之拥有更窄的线宽、更高的D2D互连密度？如何将不同功能、尺寸各异、基于不同工艺节点的die封装到一起，这是我们关注的重点。
芯路漫漫：拓荒前行
中国芯：中国梦
我们始终如一，怀着一颗赤诚的中国芯，同您一起迎接未来挑战，将站在民族先锋的浪尖上。为中国芯崛起，砥砺前行。
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